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中國存儲集體亮相FMS，圣塔克拉拉刮起中國風

2018年全球最大規模的閃存峰會（FMS）于2018年8月7日美國硅谷圣塔克拉拉國際會展中心召開，開場第一天，中國存儲業界再次集體亮相主題為“中國閃存發展和機會”專場論壇，展示中國閃存產業的發展狀況和未來機會。連續六年來，該專場都安排在第一天早上的第一批專題論壇，是閃存峰會熱點論壇之一。

會議開始，中國專場主席駱建軍博士對各位來自全球各地的聽眾和來自中國的各位專家們致以熱烈的歡迎。駱建軍博士是華瀾微電子股份有限公司CEO，也是杭州電子科技大學微電子研究中心教授。他表示，中國的市場機遇和閃存的發展是未來閃存市場發展的重要基石，中國企業在閃存方面的應用是能夠給其他國際友商需要參考的重點，通過不斷的參與和互動，未來中國閃存能夠帶來更多應用方向和發展良機。

從第一位演講嘉賓——百易傳媒（DOIT）創始人兼CEO鄭信武發表了《閃存加速中國數字經濟》的主題演講。鄭總首先介紹了現今中國存儲產業專業會議的組織與召開情況，并圍繞閃存技術全景圖介紹了中國閃存市場的發展現狀，他指出中國本土廠商約占閃存廠商總數的三分之一，主要集中在產業鏈中下游，如SSD和存儲組件，控制器和閃存存儲系統等領域，但營收占比卻不足20%。而2019年是中國存儲芯片產業的生產元年。以制造NAND Flash的長江存儲，以及制造DRAM的合肥長鑫和福建晉華為主，三家企業芯片廠都將在明年竣工并投入量產，并對全球DRAM與NAND Flash市場供給產生重大影響。

第二位演講嘉賓，中科院劉明院士發表了《RRAM針對未來存儲與計算應用的研究進展》，劉院士指出在過去的60年中，計算性能提升了1010倍，我們面臨摩爾定律逐漸失效，傳統存儲限制，馮諾依曼架構中內存性能瓶頸等挑戰，NVM在未來計算中將發揮重要作用，通過融合M(memory)/S(storage)簡化內存體系結構，集成M（memory）/C（computing）解決內存墻問題，實現類大腦高效計算，而在一代NVM 器件競爭中，RRAM作為新型存儲技術是一個理想的選擇。

第三位演講嘉賓為紫光得瑞工程師Meng Xin發表了《NAND結構感知控制器架構》，指出現今NAND Flash面臨的挑戰，以及如何借助NAND結構感知實現自適應誤差抑制（Adaptive Error Mitigation），其中主要包括噪音單元修復（Noise Cells Repair），動態單元評級（Dynamic Cell Levels），標記識別壞閃存塊并清除，以及自適應RAID。

第四位演講嘉賓為華為存儲首席架構師查偉發表了《構建基于存儲系統的鍵值閃存盤》演講。圍繞鍵值磁盤的定義，展開鍵值閃存盤存儲系統的演進之路，并詳細介紹了構建基于存儲系統閃存盤的三項技術創新——協議優化，FTL優化，標準化鍵值接口。

第五位演講嘉賓為奇維科技（Keyway Technology）Chen Banghong發表了《邊緣計算的存儲趨勢》，介紹邊緣計算的特征以及其存儲需求，指出在邊緣計算SSD的發展趨勢，即滿足SSD性能需求，基于日期的文件管理以及具備AI特征。

第六位演講嘉賓為GigaDevice兆易創新戰略營銷VP Michael Wang發表了《來自大中華區的NOR Flash：從追隨者到領導者》，介紹閃存技術的發展歷程，以及NAND與NOR Flash的區別和市場應用。他表示，目前NAND閃存在智能手機和SSD市場占據主導地位，而NOR Flash則堅定自身定位，成為嵌入式系統中不可或缺的代碼存儲器。未來隨著物聯網，智能手機和汽車應用的推動，NOR Flash將再次實現高速發展。

在前面六位專業人士的展示之后，大會還有為期2天的產品展覽和各種洽談。明顯區別于開始的幾屆閃存峰會(FMS)幾乎看不到中國企業參展，這次參展的中國企業比以往任何一次都多，包括紫光集團、華為、兆易創新、華瀾微、憶恒創源等中國大陸企業。駱建軍博士說：“本次論壇的演講，一如既往被安排在閃存峰會第一天的第一時間，得益于這幾年中國存儲產業升溫很快，大家都看到了未來數據產業的巨大潛力。也得益于中國企業越來越接軌全球產業。而閃存產值占據了全球半導體產業約三分之一，也形成了大數據/云系統的主要硬件設備的成本，是有個戰略性的領域，不僅僅對中國信息產業很重要，對全球產業格局也影響很大。”本次論壇充分顯示了中國的存儲產業正在起步發展，是大家非常關注的熱點。